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半導體引線鍵合工藝等離子清洗機理是什么?

來源: | 作者:PanYunKJ | 發(fā)布時間: 2023-02-13 | 417 次瀏覽 | 分享到:
等離子清洗的機理類似于紫外臭氧清洗;一些O2可以電離,一些O2分解成原子氧O+O,然后與碳氫化合物反應生成H2O和CO2。

等離子清洗的機理類似于紫外臭氧清洗。一些O2可以電離,一些O2分解成原子氧O+O,然后與碳氫化合物反應生成H2O和CO2。被激發(fā)的氧原子也會受到能量轟擊,這有助于分解碳氫化合物分子并帶走污染物。


電離的氬氣雖然不會形成穩(wěn)定的化合物,但它可能會與碳或其他污染物形成瞬時的亞穩(wěn)態(tài)化合物,這些化合物被去除然后分解,與這種氣態(tài)等離子體一起通過泵排出。氬的原子量是氧的兩倍以上,可以通過沖擊(濺射)去除各種形式的污染物。

通常,僅用氬氣去除有機污染物的時間是O2+Ar的兩倍,因此使用氧氬混合氣等離子清洗的頻率更高。

例如,氬氣、氧氣或其混合物的工藝參數(shù),100~200W的射頻功率,0.5Torr的氣壓和10min左右的清洗時間,這些參數(shù)可以提高陶瓷基板引線鍵合的可鍵合性和可靠性??赡苄枰嗟臅r間或功率來清除厚環(huán)氧樹脂中的溢出物或其他污染物。如果器件容易損壞,可采用的工藝參數(shù)為射頻功率75W,O2等離子清洗3min或4min。已獲得引線鍵合的清潔程序和時間表。超過 300W 的射頻功率可能會因樣品過熱和/或輻射脫金屬而造成損壞,并可能改變設(shè)備的電氣特性。