隨著片外速度的提高和鍵合間距的減小，引線鍵合的電感和串擾限制了其應用。同時，引線鍵合的互連不能滿足一些硅芯片的高密度要求。

隨著芯片功率的增加、工作電壓的降低（低至1V）和間距的縮小，焊線無法承載所需的電流。

一些預測表明，單個高性能芯片將消耗超過 100A 的電流，這需要數(shù)百個 25um 焊線來分擔其功率。此外，隨著IO（輸入/輸出焊盤間距的縮短和外圍焊盤數(shù)量的增加，在某些時候，面陣列焊盤將需要互連。在單排外圍按鍵中的鍵合pad，接近的鍵合間距（在高鍵合良率和足夠的載流能力下）可以達到20~25um。

使用現(xiàn)代自動鍵合機可以實現(xiàn)超過4um深的多排鍵合，稱為區(qū)域陣列鍵合（area array bonding） bonding），但它的串擾會限制性能。

在某些時候，解決未來的I/O互連限制將需要倒裝芯片（C4微焊球和導電聚合物等）或一些未被發(fā)現(xiàn)的技術變革。引人注目的引線鍵合替代方案是一些基于倒裝芯片互連的演進技術。