二氧化碳CO2干冰雪清洗機(jī)在磁盤驅(qū)動(dòng)器、半導(dǎo)體制造和薄膜沉積等高科技領(lǐng)域等許多應(yīng)用中廣泛且至關(guān)重要。多年來，去除顆粒物一直是這些領(lǐng)域的關(guān)鍵需求，而二氧化碳除雪解決了這些問題。可以去除 3-5 納米的顆粒而不影響表面特性，二氧化碳除雪已變得越來越普遍。半導(dǎo)體應(yīng)用的二氧化碳CO2干冰雪清洗機(jī)有許多專利和專利申請(qǐng)。引線鍵合金屬互連時(shí)，多余的光刻膠和剝線的常用方法是溶劑和去離子水或溶劑噴霧。使用二氧化碳CO2干冰雪清洗100mm晶圓，線去除率達(dá)到100%。結(jié)果表明，金屬層的電化學(xué)降解減少，顆粒密度降低，沒有金屬絲，歐姆電阻降低。產(chǎn)量增加了 20%。

二氧化碳CO2干冰雪清洗，使用脈沖二氧化碳CO2干冰雪清洗噴射（電磁線圈控制）去除 SU-8 光刻膠。 SU-8光刻膠先是旋涂，然后進(jìn)行常規(guī)曝光、電鍍和處理，在基板上形成圖案，表面就是金屬和SU-8結(jié)合的區(qū)域。樣品在 613K (340°C) 下加熱 30 分鐘，發(fā)生了不需要的 SU-8 和金屬分層。接下來，為了有效地去除多余的 SU-8，使用了工作距離為 6~10 毫米的二氧化碳CO2干冰雪清洗噴射。他們還發(fā)現(xiàn)在寬達(dá) 200 微米的溝槽中也能有效清除。通過將濕法清潔與 CO2 預(yù)處理相結(jié)合，發(fā)現(xiàn)通過二氧化碳CO2干冰雪離子注入進(jìn)行光刻膠剝離的類似問題可以更快、更有效地去除光刻膠。

從晶圓表面去除顆粒是一個(gè)普遍關(guān)注的問題，顆粒污染去除，為 10nm 和更大的顆粒設(shè)定了 95% 的去污率標(biāo)準(zhǔn)。貼片前用CO2雪清洗切好的芯片。