如果要達(dá)到預(yù)期的高鍵合良率，則需要在組裝過程中清潔表面層。用于 PCB、PBUA 等的 7 種組合的鎳基金屬層的清潔/鍵合。氧/氣體等離子體和紫外線/臭氧是好的清潔。但是，必須認(rèn)識到，Ag、Cu、或者Ni可能在封裝過程中被氧化，進(jìn)而降低這些金屬層的鍵合良率。

對于小批量、高可靠性的混合電路、MCM、SIP、傳感器和大型單芯片封裝，從成本角度考慮，這種清洗方法是強(qiáng)制性的，但一般不適用于大批量 IC 制造（盡管它可以使用自動在線等離子清洗機(jī)）。

晶圓加工過程中可能會留下幾種主要污染物。晶圓焊盤的清潔內(nèi)容已經(jīng)過研究。這些污染物可能包括 S、Cl、F1、TiN、含 F 聚合物、玻璃和 C 物種，其中一些污染物位于晶圓焊盤上，該圖還顯示了氧等離子體去除大部分剩余污染物的有效性.然而，除非通過輻射，否則氧等離子體不能從墊上去除玻璃或其他無機(jī)物。

因此，在早期加工過程中去除這些污染物非常重要。晶圓在運(yùn)送到封裝廠的過程中，焊盤上會有加工殘留物污染。這些污染物在隨后的清洗和切割過程中無法去除，從而降低了粘合性。

對于晶圓廠來說，在運(yùn)輸或儲存之前用氧（或氧-氬）等離子體清潔晶圓是一件簡單的事情，之后加工引入的污染不會像過去那樣影響它們。粘合良率或可靠性！

晶圓清洗后，需要進(jìn)行適當(dāng)?shù)陌b以避免在儲存或運(yùn)輸時再次受到污染。已經(jīng)研究了晶圓存儲對污染的影響1~2，表明晶圓應(yīng)在裝有 Al 晶圓載體的密封鋁罐中存儲和運(yùn)輸。儲存在塑料中會導(dǎo)致有機(jī)污染物的積累。如果晶圓必須用塑料儲存和運(yùn)輸，晶圓應(yīng)在封裝廠切割前用等離子或紫外線臭氧清洗。晶圓將更加高效和經(jīng)濟(jì)。